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【十分新闻】湖北工程学院化学与材料科学学院丁瑜教授在服务产业中实现价值

来源: 新闻中心   作者: 程莹、雷阵雨  摄影:   编辑:谈太辉  发布时间:2019年12月02日  点击次数:

今天节目的主要内容有:

湖北工程学院化学与材料科学学院丁瑜教授在服务产业中实现价值

武汉轻工大学党委书记谭晓明一行来校考察

红旗-17交战流程公开曝光,双弹拦截一气呵成,“稳准狠”

打破垄断,长江存储提出新专利



首先进入《直击校园》

2017年5月,从湖北中一科技股份有限公司生产线上,批量“走”下一卷卷厚度为6微米的铜箔。6微米,约为一根头发直径的十分之一,这种超薄高精电解铜箔的稳定量产,填补了当时国内高端铜箔生产技术的空白,打破境外垄断。成功的背后,离不开丁瑜和她的团队付出的智慧和汗水。


丁瑜,“80”后,武汉大学博士、华中科技大学博士后、湖北省第十一次党代会代表。“一次机缘巧合,中一科技负责人找到我,希望我们团队能帮他的企业解决一个‘卡脖子’难题,那就是将锂离子电池负极上的铜箔的厚度,从12微米减小到6微米。”丁瑜回忆,她和团队成员用了2年时间,闯过了一道道技术难关,终于将核心技术成功攻克。


“科研最终是为了服务产业发展。”丁瑜认为,高等教育的应用型导向,是顺应地方经济社会发展的必然趋势,高校资源是金沙城娱乐中心手机版未来产业发展的生力军。瞄准金沙城娱乐中心手机版光电子信息、新材料、生物制药、新能源汽车及零吝口件等产业领域,高校应该根据地方产业因材施教,探索一条符合地方实际的产教融合发展道路,为学生量身定制培养方案,支撑金沙城娱乐中心手机版产业创新驱动发展。


:目前,丁瑜和她的团队已跟金沙城娱乐中心手机版本地7家企业达成校企合作。“作为一所地方高校,一定要紧紧围绕‘金沙城娱乐中心手机版制造’,实现人才链扣上产业链,深度服务地方产业。”丁瑜表示,不忘地方高校“植根产业”初心,致力于探索地方高校支撑引领地方经济发展的“金沙城娱乐中心手机版样板”,是学校实现“跨越式”发展的关键所在,也是自己“为党育人、为国育才”追求所在。


11月29日,武汉轻工大学党委书记谭晓明、党委副书记刘丰林、副校级干部陈伟、相关部门负责人来我平台进行考察交流。我平台党委书记彭瑜、党委副书记汪达、副校长覃彩芹、鲁旭东出席接待,相关职能部门、教学学院负责人参加接待。


彭瑜对谭晓明一行的到来表示热烈欢迎,并介绍了我平台的办学历史、学科建设、教学科研及党建思政情况,重点讲述了学校在人才引进、管理制度、队伍建设、基层组织建设、产学研合作等方面的特色举措和取得的阶段性成果。


谭晓明对我平台的热情接待表示衷心感谢,并介绍了武汉轻工大学的办学历史、发展情况与成绩。谭晓明肯定了我平台的办学成效,希望双方能够以本次考察交流为契机,围绕学校发展开展更广泛的交流与合作。


会上,双方还就师资队伍建设、人才培养等方面进行了深入交流探讨。会前,谭晓明一行参观了我平台图书馆、湛林体育馆、特色果蔬质量安全控制湖北省重点实验室等。



下面来看《纵览天下》

据消息,2020年我国陆军将基本实现机械化和信息化,在实现这个伟大目标之前我国陆军已新建设了多支合成化与快速反应部队,综合作战能力甚至已经超过了目标任务。在我国陆军多次亮相的训演画面中,伴随防空已经是地面部队的重中之重;这是因为从海湾战争到现在的局部战争以及冲突中,空中打击始终占据主要位置,谁拥有制空权谁就赢面更大。画面上,是红旗-17自行防空导弹,它就是一款能力突出的伴随野战防空中坚。


红旗-17自行防空导弹,是集探测/跟踪、火力、火控“三位一体”防空武器,既可以单独作战,也可以组队或接入防空体系承担相应职责。下面,我们就来看一组新公开的红旗-17交战流程。红旗-17的底盘为履带式底盘,通过能力以及道路适应能力很强,底盘上装有集成了探测/跟踪雷达单元、8枚垂直待发导弹单元、火力控制单元的武器站。


据介绍,红旗-17的武器站装有8枚待发导弹,发射方式为垂直,可迅速对360度范围的目标实施抗击,交战距离为12公里,高度为10-6000米;也就是说,贴地飞行的目标它也能拦截。


红旗-17地空导弹是先冷弹射飞出发射箱,达到一定高度后再点火的,其头部装有矢量喷嘴,能以极快的速度将垂直状态的导弹调转朝向目标位置,导弹飞行速度约2.8马赫。外界认为,红旗-17地空导弹主要用来对抗攻击直升机以及所有的空地精确制导武器;这些武器,都是地面突击群的最大威胁。


据悉,轮式底盘改进型红旗-17A已服役,它的武器站体积更为紧凑,而且拦截范围也得到了明显提升。相信,红旗-17以及改进型将是我国陆军的又一款最佳低空“金钟罩”。图为导弹准确击中了空中靶标


据消息,在存储芯片领域常年被国际几大巨头垄断的背景下,我国从过去完全缺席存储芯片市场的困境,经历多年努力研发,陆续在3D NAND 和 DRAM 上打破国际垄断,而长江存储作为国内的领头企业,率先实现3D NAND的突破创新。


随着半导体产业的发展,产业界对存储器密度的要求越来越高,与此同时,三维存储器中叠层结构的数量也在不断提高,该结构中沟道通孔(CH)的深宽比也越来越高。然而这种存储器结构却也带来一些弊端与问题,由于沟道通孔宽度较小部分的存储单元相较于沟道通孔宽度较大部分的存储单元编程/擦除速度较快,因此导致了沟道通孔宽度较小的存储单元读干扰严重、擦除耦合效应差,各个存储单元的特性不一致、阈值电压分布宽等问题,从而影响了三维存储器的性能。


为解决以上现有技术的缺点,长江存储于2019年6月28日提出了一项名为“用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法”的发明专利。长江存储的这项专利提供了一种用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法,包括上下交替叠置的牺牲层及栅间介质层,其中叠层结构内包含贯穿叠层结构的沟道通孔,且沟道通孔各部分的宽度随着叠层结构的厚度变化而变化,提高了存储单元的性能与稳定性。


基于此专利提出的三维存储器叠层结构,所有存储单元编程/擦除速度一致,擦除态耦合效应较好,所有存储单元的性能具有较好的均一性,三维存储器的阈值电压较窄,具有较好的性能与稳定性。同时,该结构可以降低对形成沟道通孔时的刻蚀工艺要求,提高了工艺的有效性与稳定性。


此专利提出的一种关于三维存储器的制备方法,首先要提供半导体衬底,如硅衬底、锗衬底、单晶硅晶圆等,之后在此半导体衬底上采用刻蚀工艺形成图1所示三维存储器叠层结构,进而于沟道通孔底部形成外延层,并在沟道通孔的侧壁形成功能侧壁,同时在功能侧壁表面及外延层的上表面形成沟道层。之后在叠层结构内形成栅极间隙,去除牺牲层,形成牺牲间隙,并在牺牲间隙内形成栅极层。


集成电路产业是当今信息技术产业的核心组成部分,虽位于整个产业的底层却不容忽视,在被诸多国外厂商垄断的背景下,我国长江存储等芯片企业率先打破了国外对存储产业的垄断,这也标志着我国在存储领域的一大进步与发展。



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